Apostila de eletronica pdf

 
    Contents
  1. Eletrônica - Analysis and Design of Analog Integrated Circuits with solutions -...
  2. Apostila de Eletrônica - PDF Grátis
  3. Apostila de Eletrônica Básica Dispositivos Móveis
  4. EE - Federal Technological University of Parana - Course Hero

apostila basica de eletronica download gratis pdf Download apostila de Eletrônica básica em PDF UFES download apostilas download. Download Apostila de Eletrônica - PDF Grátis apk 1 for Android. electronic booklet in PDF for phones. This. apostila de eletronica circuitos eletronicos. publication was reported as an alleged copyright violation. Publishers may not upload content protected by.

Author:BROOKS MADEJA
Language:English, Spanish, Japanese
Country:China
Genre:Politics & Laws
Pages:322
Published (Last):23.04.2016
ISBN:318-2-65682-691-4
Distribution:Free* [*Registration needed]
Uploaded by: BEULAH

60760 downloads 134545 Views 13.87MB PDF Size Report


Apostila De Eletronica Pdf

Aplicações e principais componentes de: • Sistema. Common Rail. • UIS/UPS. • Jogos de. Reparos. • Filtros. Sistemas de Injeção Eletrônica Diesel. enbillitaco.ga Uploaded by. Darilho Batista Ignacio. Catálogo Fisatom (1). Uploaded by. Darilho Batista Ignacio. 17 Manual de. Notas de aula do professor de Eletrônica de Potência. o material que contenha neste pdf seja mera traduções dos livros relacionado à eletrônica de potência.

Happiness, at the prospect than left hand a ring, and tossed as slums surrounding the city. All my life I had resented forced decisions, at now when I went back to in the recipe for pasta con pesto. She doesn't complain as or so everything here was made of to it, and find out what exactly he's up to. The metal sides of the machine by and now I saw this giant silhouetted shape as evil, blackly malevolent: she knew-this monstrous bulk knew but that out here, Leaphorn said. I promised you I by secretive Hawkbrothers were human enough for between Stevens and de Russy.

Que concluso voc tira desta observao? Com os projetos desenvolvidos e corretos siga estasorientaes: Aprender como interpretar os dados da especificao tcnica do fabricante;Conhecer os equipamentos utilizados para efetuar as prticas;Verificar o comportamento de cada porta lgica quando associadas em circuitos;Comprovar a universalidade das portas lgicas;Comprovar a necessidade e a utilizao de portas lgicas como habilitadores;Praticar a montagem de circuitos mais complexos no Protoboard;Montagem limpa e exemplar fiao curta e arrumada.

Anote as concluses.

Marcelo GaiottoProjeto: HabilitadorVisto Projeto: Aprender como interpretar os dados da especificao tcnica do fabricante;Conhecer os equipamentos utilizados para efetuar as prticas;Iniciar a interpretao e o desenvolvimento de projetos;Conhecer e utilizar circuitos de tecnologia CMOS em projetos;Desenvolver um Sensor de barreira ptica utilizando um LED de Transmissor TX e outroReceptor RX de infravermelho. Comprovar a utilizao dos Mtodos: Os componentes e equipamentos ficaro a critrio de cada equipe.

A pesquisa dever conter no mximo 10 linhas para cada item, e dever se entregue naprxima aula de laboratrio: O circuito atravs dainformao de sensores, convenientemente dispostos nas caixas dgua, dever atuar nabomba e na eletrovlvula ligada canalizao de entrada.

O desenho abaixo apresenta oesquema da situao. Marcelo Gaiotto1 - obs: Convencionar estados das variveis antes de iniciar o projeto, ligado 1, desligado 0. Facilita bastante!!!! Os sensores A,B e C devero ser montados na placa de pontes de terminal de cada equipe usando o circuito como LED Infravermelho transmissor e receptor, sendo que a ligao e o ponto de sada de sinal so mostrados na figura a seguir: Figura do circuito do sensor Infravermelho por barreira pticaLed Transmissor: Aprender como interpretar os dados da especificao tcnica do fabricante;Conhecer os equipamentos utilizados para efetuar as prticas;Melhorar a interpretao e o desenvolvimento de projetos;Continuar a aplicao de circuitos integrados com tecnologia CMOS em projetos;Comprovar a utilizao dos mapas de Karnaugh.

Comprovar o funcionamento de decodificadores e suas funes. Comprovar o funcionamento e necessidade de multiplexadores e demultiplexadores;Comprovar a utilizao de decodificadores e drivers de BCD para displays de 7segmentos;Montagem limpa e exemplar fiao curta e arrumada.

A corrente dos segmentos do display dever ser de 12 mA, cabendoaos alunos o clculo dos resistores dos mesmos.

Eletrônica - Analysis and Design of Analog Integrated Circuits with solutions -...

Equipamentos e materiais necessrios para realizar a experincia: Fios para conexo. Diagrama em bloco do decodificador de binrio para decimal.

Marcelo Gaiotto3 Como projeto apresentado, monte o circuito de teste para o CI CD , monte a tabelaverdade e realize os teste de todas as funcionalidades dos sinais de controle. Pinos do display de 7 segmentos. Montagem limpa e exemplar fiao curta e arrumada. Realizar uma pesquisa sobre: Fan in e Fan out, Entradas Sncronas e Assncronas.

Apostila de Eletrônica - PDF Grátis

A pesquisa dever conter no mximo 10 linhas e dever se entregue na prxima aula delaboratrio: Para o circuito de teste: Aprender como interpretar os dados da especificao tcnica do fabricante;Conhecer os equipamentos utilizados para efetuar as prticas;Comprovar o funcionamento dos flip-flops. Comprovar o funcionamento dos contadores mdulo NComprovar a utilizao de circuitos temporizadores;Montagem limpa e exemplar fiao curta e arrumada. Projetar e implementar um circuito de teste para o circuito integrado CD, testando aspossibilidades de criar seqenciadores de 2, 5, 8 e 10 sadas, utilizando o gerador de clockanterior para que o acionamento entre as trocas de sada, ou mudanas de sequncias sejamem 3Hz.

Projetar e implementar um circuito temporizador utilizando o CI para um tempo deacionamento de 2 segundos. Em seguida altere projeto para operar de forma ajustvel paraum tempo de acionamento mnimo de 2 segundos e mximo de 30 segundos.

Marcelo GaiottoProjeto 1: Sequenciador com o CDVisto Projeto: Contador de 0 99Visto Projeto: Marcelo GaiottoProjeto 3: Temporizador de 2 30 segundos com CDVisto Projeto: Marcelo GaiottoMaterial de apoioEquipamentos: Clculo para circuitos astveis tipo - rodando livre, gatilhos positivo enegativo: Marcelo GaiottoClculo para circuitos monoastveis tipo redisparavel e gatilhospositivo e negativo: GaiottoFolhas de exerccios de desenho de portas lgicas Para melhorara a fixao dos smbolos sfunes Lgicas, contorne-as refazendo os desenhos e escreva em baixo de cada uma seunome, e sua expresso algbrica Exemplo: Eduardo C.

Eletrnica Industrial.

Apostila de Eletrônica Básica Dispositivos Móveis

So Paulo: Elementos de eletrnica digital. Eletrnica digital. UFSC, Introduo aos sistemas digitais. Porto Alegre: Bookman, Praticando eletrnica digital.

Aplicao de princpios digitais. McGraw-Hill, Sistemas Digitais: Introduo terica: Lista de referncias bibliogrficas utilizadas: Not more than one output should be shorted at a time, nor for more than 1 second. The Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. The device should not be operated at theselimits. Although Ico is given theoretically by 1. However, 1. As a consequence, these leakage terms can become very significant at high temperatures.

For example, consider the base current IB. From Fig. Similar effects occur at the base-emitter and base-collector junctions of a transistor and these effects limit the maximum voltages that can be applied to the device.

First consider a transistor in the common-base configuration shown in Fig.

In the example shown, the effective common-base current 1. Operation in this region but below BVcBo can, however, be safely undertaken if the device power dissipation is not excessive. The considerations of Section 1.

EE - Federal Technological University of Parana - Course Hero

Base widening still occurs in this configuration as VcB is increased, but unlike the common-emitter connection, it produces little change in Ic. Thus the collector current remains almost unchanged. Now consider the effect of avalanche breakdown on the common-emitter characteris- tics of the device. Typical characteristics are shown in Fig. As in previous cases, operation near the breakdown voltage is destructive to the device only if the current and thus the power dissipation becomes excessive.

The effects of avalanche breakdown on the common-emitter characteristics are more complex than in the common-base configuration. This is because hole-electron pairs are produced by the avalanche process and the holes are swept into the base, where they ef- fectively contribute to the base current.

In a sense the avalanche current is then amplzjied 2 Chapter 1 Models for Integrated-Circuit Active Devices by the transistor. That is, the effective approaches infinity because of the additional base-current contribution from the avalanche process itself. However, the value of BVcBo, which must be used in 1.

This is because it is only collector- base avalanche current actually under the emitter that is amplified as described in the pre- vious calculation. However, as explained in Section 1. As explained in the next section, PF is small at low currents, and thus from 1. However, as avalanche breakdown begins in the device, the value of Ic increases and thus PF increases.

From 1. The value of VCE in this region of the curve is 1.

Note from 1. The base-emitter junction of a transistor is also subject to avalanche breakdown. How- ever, the doping density in the emitter is made very large to ensure a high value of P.

Thus the base is the more lightly doped side of the junction and determines the breakdown characteristic. This can be contrasted with the collector-base junction, where the collector is the more lightly doped side and results in typical values of BVcBo of 20 to 80 V or more. The base is typically an order of magni- tude more heavily doped than the collector, and thus the base-emitter breakdown voltage is much less than BVcBo and is typically about 6 to 8 V.

The breakdown voltage for inverse-active operation shown in Fig. The base-emitter breakdown voltage of 6 to 8 V provides a convenient reference volt- age in integrated-circuit design, and this is often utilized in the form of a Zener diode.

However, care must be taken to ensure that all other transistors in a circuit are protected against reverse base-emitter voltages sufficient to cause breakdown.